1.E3-PACK封装的新CBI模块

继小功率CBI模块面市之后，IXYS公司又推出110VAC~550VAC的大功率三相全桥逆变模和CBI（整流-斩波-逆变）模。

三相桥逆变模的IGBT 晶片，600V系列的100A、150A和200A，以及1200V系列的75A和100A，均采用NPT 技术制造，所列电流值均是在Tc=80度时的额定值，续流二极管为扩散白金的HiPerFRED 二极管。

2.汽车工业对半导体的需求日益增大；最具有代表性的是42V的集成交变启动器。小型功率半导体多用于工业用机车如叉车等。

采用IXYS专利的HiPerFET技术生产的MOSFET模块具有：

低导通电阻、低触发电量、阻断电压为70~1100V、雪崩定额保证过压峰值时的稳定性、选用大动态面积的晶片生产、本体附带快速二极管。

3.IXYS扩大其专利MOSFET和IGBT产品范围，采用TO-220和SMD TO-263封装，

作为对客户需求的反馈，IXYS公司现提供TO-220封装的IXGP系列和TO-263封装的IXGA系列高压IGBT，及功率MOSFET技术；该产品系列可增加客户的功率转换或马达控制系统的功率密度。TO-263是表面贴器件。该封装的功率MOSFET现有：

IXTP/IXTA 2N80、IXTP/IXTA 1N100。IXTP/IXTA 05N100，1000V、0.75A，属最小号的MOSFET 器件。所有这些MOSFET都具有雪崩定额和本体二极管；TO-263封装、1000V的MOSFET可控制6KW的电力回路。

采用该封装的产品还有：IXGP/IXGA 7N60C和IXGP/IXGA 7N60CD1，均为600V、14A的光速C系列。45ns关断下降时间、1000V 16A的IXGP/IXGA 8N100的标准IGBT，其饱和压降仅为2.7V。这些IGBT具有外延结构故其开通时间快。后缀带D1的IGBT具有相等的电流定额、反并续流二极管，HiPerFRED 相对于标准的FRED来说，有较高的散热效率。