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零件图片(仅供参考)
IXTA3N120TRL
规格参数
  • 制造商产品型号:IXTA3N120TRL
  • 制造厂家名称:IXYS
  • 描述:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 欧姆 @ 1.5A, 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):42nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1350pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:200W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:TO-263 (IXTA)
  • IXTA3N120TRL,IXYS产品一站式供应商。
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    基本参数:
  • 电子零件型号:IXTA3N120TRL
  • 原始制造厂商:IXYS
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 产品应用分类:单端场效应管
  • 点击此处查询IXTA3N120TRL的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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