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零件图片（仅供参考）
IXGK120N60B3
规格参数
  • 制造商产品型号：IXGK120N60B3
  • 制造商：IXYS（已被力特半导体 Littelfuse 收购）
  • 描述：DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：GenX3?
  • 零件状态：停产
  • IGBT类型：PT
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：280A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：600A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：1.8V @ 15V，100A
  • 功率-最大值：780W
  • 开关能量：2.9mJ（开），3.5mJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：465nC
  • 25°C时Td（开/关）值：40ns/227ns
  • 测试条件：480V，100A，2 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：87ns
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-264-3，TO-264AA
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IXGK120N60B3
  • 原始制造厂商：IXYS
  • 技术标准参数：DISC IGBT PT-MID FREQUENCY TO-26
  • 产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 点击此处查询IXGK120N60B3的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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