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零件图片（仅供参考）
IXFN80N50
规格参数
  • 制造商产品型号：IXFN80N50
  • 制造厂家名称：IXYS
  • 描述：MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
  • 系列：HiPerFET?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：55 毫欧 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 8mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：380nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9890pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：780W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装：SOT-227B
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IXFN80N50
  • 原始制造厂商：IXYS
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
  • 产品应用分类：场效应管模块
  • 点击此处查询IXFN80N50的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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