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零件图片（仅供参考）
IXFA3N120TRL
规格参数
  • 制造商产品型号: IXFA3N120TRL
  • 制造厂家名称: IXYS
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 系列: HiPerFET?
  • FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.5 欧姆 @ 1.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 39nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1050pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 200W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装: TO-263
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    基本参数：
  • 电子零件型号：IXFA3N120TRL
  • 原始制造厂商：IXYS
  • 技术标准参数：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  • 产品应用分类：FET - 单
  • 点击此处查询IXFA3N120TRL的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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